SK Hynix va produire sa mémoire DRAM en s’appuyant sur l’ultraviolet

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SK Hynix va produire sa mémoire DRAM en s'appuyant sur l'ultraviolet

Le géant des semi-conducteurs SK Hynix est décidé à bouger les lignes. La firme sud-coréenne a en effet commencé à produire sa ligne de mémoire DRAM LPPDR4 de 8 Go en 10 nm ce mois-ci. L’entreprise a également indiqué qu’elle appliquera le procédé EUV (ultraviolet extrême) à la production de cette dernière puce, sur laquelle elle mise beaucoup. Avec cette dernière puce, SK Hynix applique pour la première fois le procédé EUV à sa production de DRAM. Samsung a commencé à appliquer ce procédé avancé à sa production de mémoire l’année dernière.

Pour rappel, le procédé de l’ultraviolet extrême est utilisé dans le processus de lithographie lors de la production de puces, où les modèles de circuits sont transférés sur la tranche. En utilisant l’EUV, les entreprises peuvent transférer des modèles plus précis, ce qui permet de concevoir des puces plus petites et d’en dessiner davantage sur la tranche.

Outre la mémoire, dans les puces logiques, le processus est largement adopté par les géants des semi-conducteurs TSMC et Samsung pour leurs lignes de production de processeurs avancés.

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Un espoir pour mettre fin à la pénurie ?

A raison. Selon SK Hynix, l’utilisation de ce procédé industriel devrait permettre à la firme coréenne d’obtenir 25 % d’unités de DRAM de plus sur une seule plaquette pour le dernier LPPDR4 en 10 nm, par rapport à son prédécesseur.

Et d’y voir un espoir pour résoudre la pénurie de semi-conducteurs qui perturbe actuellement un grand nombre de chaînes d’approvisionnements dans le monde. Pour la société, la production de sa dernière mémoire DRAM contribuera probablement à atténuer les conditions d’offre et de demande actuellement observées sur les marchés mondiaux.

Selon l’entreprise sud-coréenne, tous les nouveaux produits DRAM de SK Hynix dotés du dernier processus 10 nm seront fabriqués par EUV à l’avenir. Pour ce qui est de ses caractéristiques, la nouvelle DRAM mobile LPDDR4 du géant coréen fonctionne à 4 266 Mb/s et consomme 20 % d’énergie en moins que son prédécesseur, précise SK Hynix. La puce sera fournie aux fabricants de smartphones au cours du second semestre de l’année, indique sa direction. La société commencera également à appliquer son dernier processus 10 nm à sa production de DDR5 à partir de 2022.

Source : ZDNet.com

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