DDR5, Samsung dévoile du 512 Go à 7.2 Gb/s

Spread the love
  • Yum

A l’occasion de la conférence Hot chips 33, Samsung a présenté ses avancées autour de la mémoire DDR5. La conception de ces modules va profiter de nouveaux processus afin d’accroitre les fréquences et les capacités.

La DDR5 est la prochaine étape en matière de mémoire vive sur PC. Sur le papier elle promet un nouveau bond en avant avec des hausses conséquentes des performances face à l’actuelle DDR4. A son sujet Samsung est à l’origine de nouveaux processus de fabrication afin d’assurer des fréquences plus importantes et de meilleures capacités.

DDR5, Samsung évoque sa DDR5 TSV 8H

Le géant travaille sur des barrettes équipées de modules DDR5 TSV profitant d’un empilement 8H sur une hauteur de 1 mm. La DDR4 TSV actuelle exploite un empilant 4H sur une hauteur de 1.2 mm.

Module DDR5 Samsung de 512 Go à 7.2 Gb/s

Pour parvenir à ce résultat la firme est arrivé à réduite de 40% l’épaisseur entre chaque couche. Il est avancé que ces modules TSV 8H offriraient de meilleure capacité de refroidissement. De plus ils devraient permettre dans un avenir proche des capacités de 512 Go par module. Ce chiffre est important car il promet une énorme augmentation face à DDR4.

Module DDR5 Samsung de 512 Go à 7.2 Gb/s

Samsung s’attend à ce que la DDR5 rehausse de 85% les performances face à la DDR4 avec des débits atteignant les 7.2 Gb/s. Dans le même temps, ces nouveaux modules disposeront d’une tension de 1,1 V en raison d’une régulation de la tension embarquée. Les modules RDIMM / LRDIMM annoncés visent le marché des centres de données.

Module DDR5 Samsung de 512 Go à 7.2 Gb/s

Selon Samsung, le marché grand public adoptera en masse la DDR5 pas avant 2023/2024.

Leave a Reply

%d bloggers like this: